[发明专利]一种介孔二氧化锰纳米片的低温制备方法有效
| 申请号： | 201711265457.5 | 申请日： | 2017-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN109867306B | 公开（公告）日： | 2022-02-15 |
| 发明（设计）人： | 吴忠帅;秦洁琼 | 申请（专利权）人： | 中国科学院大连化学物理研究所 |
| 主分类号： | C01G45/02 | 分类号： | C01G45/02;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 沈阳晨创科技专利代理有限责任公司 21001 | 代理人： | 郑虹 |
| 地址： | 116023 *** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种介孔二氧化锰纳米片的低温制备方法，属于金属氧化物纳米材料的可控制备及其形貌控制技术领域。本发明以锰盐为原料，水和醇为溶剂，长链烷基胺为模板剂，采用低温一步法制备得到介孔二氧化锰纳米片。该制备方法具有设备简单，操作方便，条件温和，成本低廉且工艺易于放大的优点，制备的二氧化锰纳米片质量高，性能好，在超级电容器、锂电池、传感和催化等领域有着重要的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 二氧化锰 纳米 低温 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种介孔二氧化锰纳米片的低温制备方法，其特征在于包括以下步骤：以锰盐的水溶液和长链烷基胺的醇溶液为原料，混合均匀，常压低温条件下反应若干小时，反应产物经洗涤干燥，得到固体粉末，即为介孔二氧化锰纳米片。
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