[发明专利]半导体激光器、光源单元和光学通信系统在审

专利信息
申请号: 201711266727.4 申请日: 2017-12-05
公开(公告)号: CN108233174A 公开(公告)日: 2018-06-29
发明(设计)人: 野津俊介;室谷义治 申请(专利权)人: 瑞萨电子株式会社
主分类号: H01S5/12 分类号: H01S5/12
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 李辉;董典红
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 本申请涉及半导体激光器、光源单元和光学通信系统。提供了一种分布式反馈半导体激光器,其包括能够获得良好的单模产量和高发光效率的相移部分。衍射光栅(105)被形成为在形成有低反射膜(111)的端面与形成有高反射膜(110)的端面之间的谐振腔的引导方向上延伸。在衍射光栅(105)中,设置有多个相移部分(106),该多个相移部分在与形成有低反射膜(111)的端面分开的预定范围内不连续地改变衍射光栅(105)的相位。
搜索关键词: 半导体激光器 衍射光栅 相移 光学通信系统 低反射膜 光源单元 分布式反馈 高发光效率 高反射膜 引导方向 不连续 谐振腔 单模 延伸 申请
【主权项】:
1.一种分布式反馈半导体激光器,包括:第一谐振腔端面;第二谐振腔端面,具有比所述第一谐振腔端面的反射率高的反射率;和衍射光栅,被形成为在所述第一谐振腔端面与所述第二谐振腔端面之间的谐振腔的引导方向上延伸,其中在所述衍射光栅中的与所述第一谐振腔端面分离的预定区域中设置有多个相移部分,所述多个相移部分被配置成不连续地改变所述衍射光栅的相位。
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