[发明专利]一种用于C波段的应力硅探测器及其制作方法

摘要

本发明提供了一种用于C波段的应力硅探测器及其制作方法，该应力硅探测器包括：设置在背衬底上的二氧化硅层，以及，均设置在所述二氧化硅层内的应力单晶硅吸收层和硅波导层，且所述应力单晶硅吸收层连接设置在硅波导层的上端；所述应力单晶硅吸收层通过所述硅波导层与二氧化硅层对非晶硅薄膜施加拉应力而形成；所述硅波导层和所述应力单晶硅吸收层分别连接电极。本发明能够准确且有效地增大硅的晶格常数，并减小带隙，从而能够可靠地增加硅的吸收限，使得硅探测器可以在C波段乃至更长的波长范围内工作。

主权项

1.一种用于C波段的应力硅探测器的制作方法，其特征在于，所述应力硅探测器包括：设置在背衬底上的二氧化硅层，以及，均设置在所述二氧化硅层内的应力单晶硅吸收层和硅波导层，且所述应力单晶硅吸收层连接设置在硅波导层的上端；所述应力单晶硅吸收层通过所述硅波导层与二氧化硅层对非晶硅薄膜施加拉应力而形成；所述硅波导层和所述应力单晶硅吸收层分别连接电极；相应地，所述应力硅探测器的制作方法包括：对SOI衬底上的顶层硅区域进行刻蚀，得到硅波导层；在所述硅波导层上淀积一层的非晶硅薄膜；在所述非晶硅薄膜的表面覆盖二氧化硅、并与所述SOI衬底中的二氧化硅区域组成二氧化硅层；对所述非晶硅薄膜进行退火处理，使得所述二氧化硅层和所述硅波导层均对经退火处理后的非晶硅薄膜形成拉应力，进而使得所述非晶硅薄膜转化为应力单晶硅吸收层；以及，在所述二氧化硅层中设置分别连接所述硅波导层和所述应力单晶硅吸收层的电极。