[发明专利]一种半导体设备的清洗系统及清洗方法有效

专利信息
申请号: 201711267826.4 申请日: 2017-12-05
公开(公告)号: CN109868458B 公开(公告)日: 2021-12-17
发明(设计)人: 丁安邦;师帅涛;史小平;陈鹏;李春雷;兰云峰;王勇飞;王洪彪 申请(专利权)人: 北京北方华创微电子装备有限公司
主分类号: C23C16/44 分类号: C23C16/44;C23C16/455
代理公司: 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 代理人: 陶金龙;张磊
地址: 100176 北京市大*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种半导体设备的清洗系统及清洗方法,清洗系统包括反应腔室、远程等离子体源、原位等离子体源、第一清洗通道和第二清洗通道,可通过第一清洗通道对反应腔室内的反应区域通入激发态清洗气体进行清洗,以及通过第二清洗通道对反应腔室内的非反应区域通入激发态清洗气体进行清洗。本发明通过把远程等离子体清洗方法和原位等离子体清洗方法相结合,采用先用大功率的远程等离子体清洗反应腔室,再用小功率的原位等离子体清洗腔室的方法;或者采用同时使用高气压的远程等离子体和低气压的原位等离子体对腔室进行清洗的方法,可精确控制清洗时间,减少清洗气体的使用量,降低生产成本,并可延长人工PM周期,节约维护成本。
搜索关键词: 一种 半导体设备 清洗 系统 方法
【主权项】:
1.一种半导体设备的清洗系统,其特征在于,包括:反应腔室、远程等离子体源、原位等离子体源、第一清洗通道和第二清洗通道,所述远程等离子体源分别通过所述第一清洗通道和所述第二清洗通道与所述反应腔室连接,用于通过所述第一清洗通道对反应腔室内的反应区域通入激发态清洗气体进行清洗,以及通过所述第二清洗通道对反应腔室内的非反应区域通入激发态清洗气体进行清洗。
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