[发明专利]含铝多量子阱激光芯片及其制造方法、激光装置

摘要

本发明公开了一种含铝多量子阱激光芯片及其制造方法、激光装置，涉及半导体技术领域。该含铝多量子阱激光芯片的制造方法包括：在基板上生成含铝的多量子阱层；借助于刻蚀阻挡层对多量子阱层进行刻蚀以生成台面结构；在预定水浴温度下采用钝化剂对所述台面结构进行浸泡，以实现对所述含铝的多量子阱层界面的钝化处理；在包含经钝化处理后的所述含铝的多量子阱层界面的所述台面结构上生成反向阻挡层；以及去除刻蚀阻挡层并在反向阻挡层和台面结构上依次形成包层和电接触层。本公开可以防止含铝多量子阱被氧化，进而提高激光芯片的可靠性。

主权项

1.一种含铝多量子阱激光芯片的制造方法，其特征在于，包括：在基板上生成含铝的多量子阱层；借助于刻蚀阻挡层对所述多量子阱层进行刻蚀以生成台面结构；在预定水浴温度下采用钝化剂对所述台面结构进行浸泡，以实现对所述含铝的多量子阱层界面的钝化处理；其中，所述预定水浴温度为55℃至65℃或16℃至20℃；在包含经钝化处理后的所述含铝的多量子阱层界面的所述台面结构上生成反向阻挡层；以及去除所述刻蚀阻挡层并在所述反向阻挡层和所述台面结构上依次形成包层和电接触层。