[发明专利]一种垂直LED芯片结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201711270363.7 | 申请日： | 2017-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN109873064A | 公开（公告）日： | 2019-06-11 |
| 发明（设计）人： | 曹志芳;沈龙梅;吴金凤;单立英;肖成峰;郑兆河;徐现刚 | 申请（专利权）人： | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/38;H01L33/44;H01L33/00 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 杨树云 |
| 地址： | 261061 *** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种垂直LED芯片结构及其制备方法，本发明通过在P型GaN层与金属反射镜之间增加一电流引导层，可以使P极电流通过时按照设定的金属小圆点进行电流流通，均匀的增大了电流密度，同时该电流引导层有SiO2薄膜，既能阻挡电流通过又能避免金属反射镜吸光，从而增大出光效率；另外N电极图形设计时采取与P电极小圆点相对应的结构，使P、N电极的电流都能均匀分布，且电流密度增大，最大限度的激发量子阱的发光效率。本发明的结构设置简单，可以大幅提升垂直芯片的光提取效率，在半导体照明领域具有广泛的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 金属反射镜 电流通过 电流引导 小圆点 制备 垂直 电流密度增大 半导体照明 光提取效率 出光效率 垂直芯片 电流流通 发光效率 结构设置 图形设计 量子阱 吸光 阻挡 金属 激发 应用 | ||
【主权项】：
1.一种垂直LED芯片结构，其特征在于，由下至上依次包括导电基底、蒸铟层、金属反射镜层、电流引导层、P‑GaN层、量子阱层、N‑GaN层、粗化层、SiO2保护层，以及位于所述SiO2保护层表面上的N电极，所述电流引导层包括在若干均匀分布的金属图形及SiO2薄膜。
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