[发明专利]磁电耦合器件有效
| 申请号： | 201711271098.4 | 申请日： | 2017-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN109873075B | 公开（公告）日： | 2021-01-01 |
| 发明（设计）人： | 于浦;李好博;鲁年鹏;马静;南策文 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/10 |
| 代理公司： | 北京华进京联知识产权代理有限公司 11606 | 代理人： | 刘诚 |
| 地址： | 100084*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： |
本发明涉及一种磁电耦合器件，包括：导电基底、过渡金属氧化物层和磁性金属层。所述过渡金属氧化物层设置于所述导电基底的表面。所述过渡金属氧化物层为SrCoO |
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| 搜索关键词： | 磁电 耦合 器件 | ||
【主权项】：
1.一种磁电耦合器件，包括：导电基底(110)；过渡金属氧化物层(120)，设置于所述导电基底(110)的表面，所述过渡金属氧化物层(120)为SrCoO2.5和SrCoO2.5H组成的混合物，其中所述SrCoO2.5所占的比例为0％‑100％；磁性金属层(130)，设置于所述过渡金属氧化物层(120)的表面，所述过渡金属氧化物层(120)设置于所述导电基底(110)与所述磁性金属层(130)之间。
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