[发明专利]一种光电阴极及其制备方法在审
| 申请号： | 201711272587.1 | 申请日： | 2017-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN107895681A | 公开（公告）日： | 2018-04-10 |
| 发明（设计）人： | 郝广辉;邵文生;张珂;于志强;高玉娟 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十二研究所 |
| 主分类号： | H01J1/34 | 分类号： | H01J1/34;H01J9/12 |
| 代理公司： | 北京正理专利代理有限公司11257 | 代理人： | 张雪梅 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种光电阴极，包括衬底、形成在衬底上的p型AlN缓冲层、形成在p型AlN缓冲层上的p型AlxGa1‑xN发射层和形成在p型AlxGa1‑xN发射层上的窄禁带半导体表面层；其中，所述窄禁带半导体表面层的材料为室温下禁带宽度≤2.3eV的半导体材料，所述p型AlxGa1‑xN发射层中x的范围为0≤x＜1。本发明的光电阴极在p型AlxGa1‑xN发射层上生长窄禁带半导体表面层，窄禁带半导体表面层原子与p型AlxGa1‑xN发射层原子以共价键形式结合，有利于改善AlxGa1‑xN材料表面能带结构，降低光电阴极表面功函数，提高电子隧穿光电阴极表面的几率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 光电 阴极 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种光电阴极，其特征在于，所述光电阴极包括衬底、形成在衬底上的p型AlN缓冲层、形成在p型AlN缓冲层上的p型AlxGa1‑xN发射层和形成在p型AlxGa1‑xN发射层上的半导体表面层；其中，所述半导体表面层的材料为室温下禁带宽度≤2.3eV的半导体材料，所述p型AlxGa1‑xN发射层中x的范围为0≤x＜1。
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