[发明专利]用于鳍式场效应晶体管的互连结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201711272840.3 | 申请日： | 2017-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN109427743B | 公开（公告）日： | 2020-07-10 |
| 发明（设计）人： | 廖忠志 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/535 | 分类号： | H01L23/535;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本文公开了用于鳍式场效应晶体管(FinFET)的互连结构和相应的形成方法。一种用于FinFET的示例性互连结构包括电连接至FinFET的栅极的栅极节点通孔、电连接至FinFET的源极的源极节点通孔、以及电连接至FinFET的漏极的漏极节点通孔。源极节点通孔尺寸比限定了源极节点通孔的最长尺寸与源极节点通孔的最短尺寸之间的比率，并且漏极节点通孔尺寸比限定了漏极节点通孔的最长尺寸与漏极节点通孔的最短尺寸之间的比率。源极节点通孔尺寸比大于漏极节点通孔尺寸比。在一些实施方式中，源极节点通孔尺寸比大于2，并且漏极节点通孔尺寸比小于1.2。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 场效应 晶体管 互连 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于鳍式场效应晶体管FinFET的互连结构，所述互连结构包括：栅极节点通孔，电连接至所述FinFET的栅极；源极节点通孔，电连接至所述FinFET的源极，其中，源极节点通孔尺寸比限定了所述源极节点通孔的最长尺寸与所述源极节点通孔的最短尺寸之间的比率；以及漏极节点通孔，电连接至所述FinFET的漏极，其中，漏极节点通孔尺寸比限定了所述漏极节点通孔的最长尺寸与所述漏极节点通孔的最短尺寸之间的比率，并且所述源极节点通孔尺寸比还大于所述漏极节点通孔尺寸比。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201711272840.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
