[发明专利]一种传感器材料的制备方法

摘要

本发明公开了一种传感器材料的制备方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤（1）配制质量浓度为0.5％～5％的聚苯乙烯聚2‑乙烯基吡啶嵌段共聚物有机溶液，（2）将溶胀后的样品置于原子层沉积仪器反应腔中，抽真空并加热反应室温度到60～90°C，本发明制备出的传感器材料，具有极高的孔隙率和比表面积，能吸附更多的水分子；制备出的传感器材料，具有纳米级(10～40nm)的孔道，提高了在低湿度下对水分子的传感能力；制备出的传感器材料，其厚度为300～500nm，使得水分子能快速有效地渗透扩散到传感器材料的内部。

主权项

一种传感器材料的制备方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：（1）配制质量浓度为0.5％～5％的聚苯乙烯聚2‑乙烯基吡啶嵌段共聚物有机溶液，然后在转速400～5000转/分下，将嵌段共聚物溶液旋涂到硅片上，接着将旋涂好的硅片放置在真空干燥箱中干燥，然后将干燥后的样品在温度为30～70°C的选择性有机溶剂中溶胀1～24小时，最后将溶胀后的样品取出自然干；（2）将溶胀后的样品置于原子层沉积仪器反应腔中，抽真空并加热反应室温度到60～90°C，使样品在设定温度下保持10～40min，反应腔内的气压为0.01～10torr，载气的流量设定为5～30sccm，前驱体的温度恒定在20～40°C之间；（3）脉冲第一种前驱体，时间为0.01～1s，接着使脉冲出的第一种前驱体体分子在反应腔中暴露0～60s；（4）向反应腔中脉冲清扫气体。