[发明专利]互连结构及其制造方法有效
申请号: | 201711274799.3 | 申请日: | 2017-12-06 |
公开(公告)号: | CN109427734B | 公开(公告)日: | 2021-07-23 |
发明(设计)人: | 张又仁;谢旻谚;陈华丰;潘国华 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/522 | 分类号: | H01L23/522;H01L23/532;H01L21/768 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;李伟 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 本文公开了互连结构和用于形成互连结构的相应的技术。示例性互连结构包括导电部件和设置在导电部件上方的通孔,导电部件包括钴。通孔包括设置在导电部件上方的第一通孔阻挡层、设置在第一通孔阻挡层上方的第二通孔阻挡层以及设置在第二通孔阻挡层上方的通孔块状层。第一通孔阻挡层包括钛,并且第二通孔阻挡层包括钛和氮。通孔块状层可以包括钨和/或钴。覆盖层可以设置在导电部件上方,其中,通孔延伸穿过覆盖层以接触导电部件。在一些实施方式中,覆盖层包括钴和硅。本发明的实施例还涉及制造互连结构的方法。 | ||
搜索关键词: | 互连 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种互连结构,包括:导电部件,包括钴;和通孔,设置在所述导电部件上,其中,所述通孔包括:第一通孔阻挡层,设置在所述导电部件上方,其中,所述第一通孔阻挡层包括钛,第二通孔阻挡层,设置在所述第一通孔阻挡层上方,其中,所述第二通孔阻挡层包括钛和氮,以及通孔块状层,设置在所述第二通孔阻挡层上方。
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