[发明专利]电荷注入补偿电路有效
| 申请号： | 201711274886.9 | 申请日： | 2017-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN108155896B | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | J·G·萨蒂兰;D·埃亨尼 | 申请（专利权）人： | 亚德诺半导体集团 |
| 主分类号： | H03K17/14 | 分类号： | H03K17/14 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 欧阳帆 |
| 地址： | 百慕大群岛(*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开涉及电荷注入补偿电路。电荷注入补偿电路通过场效应晶体管(FET)开关补偿电荷注入，而不管电源电压如何。电荷注入补偿电路包括在关闭时将电荷注入到电子电路中的主开关、以及存储注入的电荷直到其能够耗散到耗散节点的电荷存储装置。当主开关被控制关闭时，脉冲发生器电路控制电荷存储开关接通，从而将从主开关注入的电荷转移到电荷存储装置，然后关断。耗散电路将来自电荷存储装置的电荷耗散到耗散节点。 | ||
| 搜索关键词： | 电荷 注入 补偿 电路 | ||
【主权项】：
电荷注入补偿电路，包括：第一开关，所述第一开关使用第一控制脉冲将第一节点与第二节点耦合，当所述第一开关开启时所述第一开关将电荷注入到所述第一节点和所述第二节点中的至少一个；电荷存储装置；第二开关，所述第二开关使用第二控制脉冲将所述第一开关的第一节点或第二节点与所述电荷存储装置耦合，以电荷转移到所述电荷存储装置，所述第二控制脉冲定时以在所述第一控制脉冲控制所述第一开关开启时，控制所述第二开关关闭。
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