[发明专利]晶圆冷却系统在审
| 申请号： | 201711275822.0 | 申请日： | 2017-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN109585330A | 公开（公告）日： | 2019-04-05 |
| 发明（设计）人： | 陈嘉任;陈嘉直 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 李昕巍;章侃铱 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开描述一种晶圆冷却/加热系统，包含一负载锁定腔室以及一冷热模块。负载锁定腔室是使用一层流设计，以改善在冷却/加热制程中横跨一或多个晶圆的温度的均匀性。负载锁定腔室可包含：(1)一晶圆固持器，被配置以于负载锁定腔室的一前侧接收多个晶圆；(2)沿着负载锁定腔室的一背侧、负载锁定腔室的一侧面或其组合所设置的一气体扩散器；以及(3)一或多个排气管路。另外，冷热模块可被配置以控制提供给负载锁定腔室的一气体的温度。 | ||
| 搜索关键词： | 负载锁定腔室 晶圆 冷热 冷却/加热系统 气体扩散器 控制提供 冷却系统 排气管路 固持器 均匀性 层流 配置 制程 种晶 加热 横跨 冷却 侧面 | ||
【主权项】：
1.一种晶圆冷却系统，包含：一负载锁定腔室，包含：一晶圆固持器，被配置以在该负载锁定腔室的一前侧接收多个晶圆；一气体扩散器，沿着该负载锁定腔室的一背侧、该负载锁定腔室的一侧面，或其组合所设置，其中该气体扩散器包含一或多个喷嘴；以及一或多个排气管路；以及一冷热模块，被配置以控制提供给该负载锁定腔室的一气体的温度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
