[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

本发明提供半导体器件及其制造方法，其课题在于提高半导体器件的耐压。半导体器件具有由碳化硅构成的第一导电型的半导体衬底(SUB)、在半导体衬底的器件区域(DR)中的第二导电型的体区域(BR)、形成于体区域(BR)内的第一导电型的源极区域(SR)、和隔着栅极绝缘膜(GI1、GI2)形成于体区域BR上的栅电极(GE)。在半导体衬底的终端区域(TR)，具有第二导电型的降低表面电场层(RS1、RS2)、和形成于降低表面电场层(RS1、RS2)内的边缘终端区域(ET)。与降低表面电场层(RS1、RS2)和降低表面电场层(RS1、RS2)接近的半导体衬底(SUB)的表面由抗氧化性绝缘膜(ZM1R)覆盖。

主权项

1.一种半导体器件，其特征在于，具有：第一导电型的半导体衬底，其由碳化硅构成，具有主面和背面，在所述主面具有器件区域、包围所述器件区域的周围的终端区域、和相对于所述终端区域位于所述器件区域的相反侧的边；第二导电型的第一半导体区域，其具有与所述第一导电型相反的导电型，在所述器件区域形成于所述半导体衬底的所述主面；所述第一导电型的第二半导体区域，其形成于所述第一半导体区域的内部；栅电极，其在所述半导体衬底与所述第二半导体区域之间，隔着栅极绝缘膜形成于所述第一半导体区域上；环状的第三半导体区域，其在所述终端区域形成于所述半导体衬底的所述主面，具有所述第二导电型，俯视时包围所述器件区域的周围；环状的第四半导体区域，其形成于所述第三半导体区域的内部，具有所述第二导电型，俯视时包围所述器件区域的周围；第一电极，其形成于所述半导体衬底的所述主面上，与所述第一半导体区域、所述第二半导体区域及所述第四半导体区域连接；以及第二电极，其形成于所述半导体衬底的所述背面上，所述第三半导体区域的杂质浓度比所述第四半导体区域的杂质浓度低，在所述主面上，所述半导体衬底包含与所述第三半导体区域相接且包围所述第三半导体区域的周围的环状的第五半导体区域，在所述第四半导体区域与所述边之间，所述第三半导体区域及所述第五半导体区域由形成于所述主面上的抗氧化性绝缘膜覆盖。