[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201711276419.X | 申请日： | 2017-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN108231896B | 公开（公告）日： | 2022-11-18 |
| 发明（设计）人： | 张家维;许琼文;翁煜庭 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 冯志云;张福根 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体装置包括：基底；从基底突出的鳍结构；覆盖由鳍结构所形成的沟道区的栅极绝缘层；覆盖该栅极绝缘层的栅极电极层；及设置于鳍结构的相对侧的隔离层。鳍结构包括依序设置在基底上的底部、颈部及顶部。颈部的宽度小于底部的宽度以及顶部的宽度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，包括：一基底；一鳍结构，从设置于该基底上方的一隔离绝缘层突出；一栅极绝缘层，覆盖由该鳍结构所形成的一沟道区；及一栅极电极层，覆盖该栅极绝缘层；其中该鳍结构包括依序设置在该基底上的一底部、一颈部及一顶部；且该颈部的宽度小于该底部的宽度以及该顶部的宽度。
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