[发明专利]GaN基的p-GaN增强型HEMT器件及其制作方法在审
| 申请号： | 201711278188.6 | 申请日： | 2017-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN109888008A | 公开（公告）日： | 2019-06-14 |
| 发明（设计）人： | 赵杰;付凯;宋亮;郝荣晖;陈扶;于国浩;蔡勇;张宝顺 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H01L21/335 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 王茹;王锋 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种GaN基的p‑GaN增强型HEMT器件及其制作方法。所述器件包括：隧道结构，其包括异质结，所述异质结包括沟道层和势垒层，且所述异质结内形成有二维电子气；帽层，其至少对隧道结构的局部区域形成三维包覆，并至少用以将所述异质结内分布于栅下区域的二维电子气耗尽；源极、漏极，其分别设置在所述隧道结构两端；栅极，其对所述帽层的形成三维包覆。本发明的HEMT器件具有阈值电压高，p‑GaN帽层掺杂浓度及厚度要求低等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 异质结 隧道结构 帽层 增强型HEMT器件 二维电子气 包覆 三维 厚度要求 局部区域 阈值电压 沟道层 势垒层 下区域 漏极 源极 耗尽 制作 掺杂 | ||
【主权项】：
1.一种GaN基的p‑GaN增强型HEMT器件，其特征在于包括：隧道结构，其包括异质结，所述异质结包括沟道层和势垒层，且所述异质结内形成有二维电子气；帽层，其至少对隧道结构的局部区域形成三维包覆，并至少用以将所述异质结内分布于栅下区域的二维电子气耗尽；源极、漏极，其分别设置在所述隧道结构两端；以及栅极，其对所述帽层的形成三维包覆。
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