[发明专利]基于铌酸锂基底的二维材料异质结光电池

摘要

本发明公开了一种基于铌酸锂基底的二维材料异质结光电池，包括铌酸锂基底、叉指金电极、金电极、黒磷层和二硫化钼层。本发明基于硫化铼纳米器件的有机气体检测芯片的结构简单、体积小、转换效率高、稳定性好、生产效率高且成本低廉，在压电材料铌酸锂基底上组装二维材料黒磷和二硫化钼的异质结结构，当可见光入射到异质结界面上，在异质结内部产生电子‑空穴对，电子‑空穴对在异质结固有内建电势的作用下分离、漂移形成光电流；通过给铌酸锂基底施加交变电场，铌酸锂基底表面产生形变，从而产生声表面波，激发异质结界面电场，大大促进了电子‑空穴对分离效率，增大了光电流，提高了光响应灵敏度。

主权项

1.一种基于铌酸锂基底的二维材料异质结光电池，其特征在于：包括铌酸锂基底、叉指金电极、金电极、黒磷层和二硫化钼层，所述的铌酸锂基底水平设置，所述的黒磷层水平设置在所述铌酸锂基底上，所述的二硫化钼层水平设置在所述铌酸锂基底上并与所述的黒磷层搭接，所述金电极对称设置在所述二硫化钼层的左端和黒磷层的右端，所述的叉指金电极对称设置在所述铌酸锂基底的两端并与所述金电极互不接触。