[发明专利]一种NANDflash后端工艺中空气间隙的制造方法

摘要

本发明涉及一种NAND flash后端工艺中空气间隙的制造方法，包括以下步骤提供一具有金属互连结构的半导体衬底；形成第一介质层，第一介质层覆盖半导体衬底；形成第一掩膜层，第一掩膜层覆盖第一介质层；刻蚀第一介质层，在第一介质层中形成第一通孔；刻蚀半导体衬底，在半导体衬底中形成第二通孔；去除第一掩膜层，形成第二介质层，第二介质层覆盖第一介质层及填充第一通孔，第二通孔成为空气间隙。其优点在于，通过在半导体衬底上层的介质层形成虚拟通孔，并通过刻蚀以及双重图形化，使得单元区金属互连结构两两之间出现空气间隙，这种新的空气间隙结构能够有效降低位线与位线之间的耦合效应，从而降低存储单元与存储单元之间的编程干扰。

主权项

一种NAND flash后端工艺中空气间隙的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1、提供一具有金属互连结构的半导体衬底，所述半导体衬底具有单元区和外围区；步骤S2、形成第一介质层，所述第一介质层覆盖在所述半导体衬底的上表面；步骤S3、形成图案化的第一掩膜层，使所述第一掩膜层覆盖在所述第一介质层的上表面；步骤S4、刻蚀所述第一介质层，以在所述第一介质层中形成第一通孔；步骤S5、刻蚀所述半导体衬底，以在所述半导体衬底中形成第二通孔；步骤S6、去除所述第一掩膜层，形成第二介质层，使所述第二介质层覆盖在所述第一介质层的上表面以及填充所述第一通孔，使所述第二通孔成为空气间隙。