[发明专利]一种同质结钙钛矿薄膜太阳能电池及其制备方法在审
申请号: | 201711280534.4 | 申请日: | 2017-12-07 |
公开(公告)号: | CN107768523A | 公开(公告)日: | 2018-03-06 |
发明(设计)人: | 罗云荣;李曼殊;羊亿;陈国柱;李昭萍;杨红;张晶 | 申请(专利权)人: | 湖南师范大学 |
主分类号: | H01L51/42 | 分类号: | H01L51/42;H01L51/44;H01L51/48 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 410081 湖*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | 本发明公开了一种同质结钙钛矿薄膜太阳能电池及其制备方法,其特征在于,所述太阳能电池的结构从下至上依次为透明导电衬底1、P型钙钛矿薄膜2、N型钙钛矿薄膜3、抗反射层4、金属电极5。本发明的优点在于(1)利用同质结钙钛矿薄膜构成太阳能电池充分发挥钙钛矿良好的光吸收性能,避免了载流子在输运过程中由于材料晶格不匹配而复合,提高了载流子迁移率;(2)利用抗反射层疏水增透的作用,一方面增加电池对太阳光的吸收,另一方面有效阻隔金属电极与钙钛矿薄膜之间的物理接触,防止界面电荷复合引发的能量和电荷损失,并有效阻隔空气中的水氧进入导致钙钛矿薄膜降解,从而提高钙钛矿薄膜太阳能电池的稳定性和光电转换效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 同质 结钙钛矿 薄膜 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种同质结钙钛矿薄膜太阳能电池,其特征在于,所述太阳能电池的结构从下至上依次为:透明导电衬底、P型钙钛矿薄膜、N型钙钛矿薄膜、抗反射层、金属电极。
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H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
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