[发明专利]一种凹槽阳极肖特基二极管的制备方法

摘要

本发明公开了一种凹槽阳极肖特基二极管的制备方法，包括：提供半导体外延片；在半导体外延片上制作硬掩膜层；在硬掩膜层上制作掩膜层；以掩膜层为掩膜刻蚀硬掩膜层，图形化硬掩膜层；去除掩膜层露出图形化的硬掩膜层；对露出图形化的硬掩膜层的半导体外延片进行器件间台面隔离；在半导体外延片的异质结外延层表面的阳极区域刻蚀该异质结外延层形成阳极凹槽，之后去除光刻胶和硬掩膜层；在半导体外延片的异质结外延层表面的阴极区域形成层阴极金属。本发明利用纳米压印技术或铺聚苯乙烯球技术实现纳米级阳极凹槽，从而制备同时具有低开启电压、低导通电阻、高饱和电流等良好正向导通特性与低漏电、高击穿电压等良好反向关断特性的肖特基二极管。

主权项

1.一种凹槽阳极肖特基二极管的制备方法，其中，该方法包括：提供一具有异质结外延层表面的半导体外延片；在该半导体外延片上制作硬掩膜层；在该硬掩膜层上通过纳米压印或聚苯乙烯球制作掩膜层；以掩膜层为掩膜刻蚀硬掩膜层，图形化该硬掩膜层；去除通过纳米压印或聚苯乙烯球制作的掩膜层，露出图形化的硬掩膜层；对露出图形化的硬掩膜层的半导体外延片进行器件间台面隔离；在半导体外延片的异质结外延层表面的阳极区域通过光刻刻蚀该异质结外延层，形成阳极凹槽，之后去除光刻胶和硬掩膜层；在半导体外延片的异质结外延层表面的阴极区域形成层阴极金属，在异质结外延层表面的阳极凹槽上形成阳极金属。