[发明专利]一种凹槽阳极肖特基二极管及其制备方法在审
| 申请号： | 201711280883.6 | 申请日： | 2017-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN108010959A | 公开（公告）日： | 2018-05-08 |
| 发明（设计）人： | 程哲;张连;张韵 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L29/41 | 分类号： | H01L29/41;H01L21/336;H01L29/872 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种凹槽阳极肖特基二极管及其制备方法，该凹槽阳极肖特基二极管，包含衬底，形成于衬底上的外延层，形成于外延层表面阳极区域的阳极凹槽，以及形成于外延层上的阳极和阴极，其中：阳极形成于外延层表面阳极区域的阳极凹槽上，使阳极表面具有阳极凹槽图形。阳极凹槽图形是不连续图形，图形尺寸为纳米级到微米级。该二极管利用非连续阳极凹槽，提高了阳极凹槽的周长/面积比，使导通电阻降低，从而能够制备正向电流更大、导通电阻更低、导通压降更低的凹槽阳极肖特基二极管。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 凹槽 阳极 肖特基 二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种凹槽阳极肖特基二极管，包含衬底，形成于衬底上的外延层，形成于外延层表面阳极区域的阳极凹槽，以及形成于外延层上的阳极和阴极，其中：阳极形成于外延层表面阳极区域的阳极凹槽上，使阳极表面具有阳极凹槽图形。
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