[发明专利]一种制备亚波长抗反射压膜的方法在审

专利信息
申请号: 201711281500.7 申请日: 2017-12-07
公开(公告)号: CN107942415A 公开(公告)日: 2018-04-20
发明(设计)人: 朱巧芬;王华英;刘秀红;韩海燕;郎利影;王雪光 申请(专利权)人: 河北工程大学
主分类号: G02B1/118 分类号: G02B1/118
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 056038 河北*** 国省代码: 河北;13
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摘要: 发明公开了一种制备亚波长抗反射压膜的方法,包括如下步骤A)利用化学氧化还原反应沉积金属层的方法,在含氧基底表面沉积硬掩膜,在单面抛光的基片上沉积一层金属层;B)在所述硬掩膜表面制作出周期性单排光刻胶图形层,将沉积有金属层的基片进行快速退火处理,经过退火处理的金属层形成纳米金属粒子,该纳米金属粒子在所述基片表面呈随机分布,且纳米金属粒子之间的间隔处于亚波长范围。本发明具有广角宽谱的抗反射效果;采用湿法制作金属掩模降低了生产设备成本,同时工艺方法成本低廉,制作简单,并可实现大面积的制作。
搜索关键词: 一种 制备 波长 反射 方法
【主权项】:
一种制备亚波长抗反射压膜的方法,其特征在于,包括如下步骤:A)利用化学氧化还原反应沉积金属层的方法,在含氧基底表面沉积硬掩膜,在单面抛光的基片上沉积一层金属层;B)在所述硬掩膜表面制作出周期性单排光刻胶图形层,将沉积有金属层的基片进行快速退火处理,经过退火处理的金属层形成纳米金属粒子,该纳米金属粒子在所述基片表面呈随机分布,且纳米金属粒子之间的间隔处于亚波长范围;C)以该周期性单排光刻胶柱体图形层为掩膜形成单排周期性硬掩膜图形层,以所述纳米金属粒子为掩模,对所述基片进行干法刻蚀,将纳米金属粒子的分布图形转移到基片上,在基片上形成具有非周期性的亚波长光栅结构;D)以单排周期性硬掩膜图形层为掩膜对所述含氧基底的顶层进行刻蚀来形成能传输亚波长波的单排周期性柱体结构,清洗掉纳米金属粒子并将基片清洗干净之后,获得所述亚波长抗反射结构。
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