[发明专利]MOSFET数字量输出电路有效
| 申请号： | 201711282985.1 | 申请日： | 2017-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN107863957B | 公开（公告）日： | 2019-12-31 |
| 发明（设计）人： | 郑光磊;隋德磊;王鸿雪;张云鹏;李楠 | 申请（专利权）人： | 中车大连电力牵引研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H03K19/003 | 分类号： | H03K19/003;H03K19/0185;H03K19/0944 |
| 代理公司： | 11205 北京同立钧成知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘丹;黄健 |
| 地址： | 116052 辽宁省大*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种MOSFET数字量输出电路，包括：MOSFET和监测电路；MOSFET分别与主控制器和负载连接，MOSFET用于根据主控制器输出的数字量输出信号控制负载的通断；监测电路分别与MOSFET和主控制器连接，监测电路用于监测MOSFET的通断信号，并根据MOSFET的通断信号向主控制器反馈数字量输出状态反馈信号。本发明提供的技术方案可以通过监测电路实现对MOSFET的输出状态的实时监测，进而可以实现对数字量输出状态的实时监测和保护。 | ||
| 搜索关键词： | mosfet 数字 输出 电路 | ||
【主权项】：
1.一种MOSFET数字量输出电路，其特征在于，包括：金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET和监测电路；/n所述MOSFET分别与主控制器和负载连接，所述MOSFET用于根据所述主控制器输出的数字量输出信号控制所述负载的通断；/n所述监测电路分别与所述MOSFET和所述主控制器连接，所述监测电路用于监测所述MOSFET的通断信号，并根据所述MOSFET的通断信号向所述主控制器反馈数字量输出状态反馈信号；/n所述MOSFET数字量输出电路还包括：第一光耦隔离电路，所述第一光耦隔离电路的输入端与所述监测电路连接，所述第一光耦隔离电路的输出端与所述主控制器连接；/n所述监测电路包括：第一电容、第一电阻和第二电阻，所述第一电容的一端分别与所述第一光耦隔离电路的正输入端和所述第一电阻的一端连接，所述第一电阻的另一端分别与所述第一光耦隔离电路的负输入端和所述MOSFET的漏极连接；所述第二电阻的一端连接所述第一电容的另一端，所述第二电阻的另一端与所述MOSFET的源极连接；所述第一光耦隔离电路的正输出端连接所述主控制器，所述第一光耦隔离电路的负输出端接地。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中车大连电力牵引研发中心有限公司，未经中车大连电力牵引研发中心有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201711282985.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：动态电极灭弧装置
- 下一篇：一种频率校准的方法及装置
