[发明专利]像素单元及其制造方法以及成像装置有效
| 申请号： | 201711283564.0 | 申请日： | 2017-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN108054178B | 公开（公告）日： | 2021-05-07 |
| 发明（设计）人： | 柯天麒;姜鹏;汤茂亮 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 刘倜 |
| 地址： | 223300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开涉及像素单元及其制造方法以及成像装置。像素单元可以包括：衬底，所述衬底包括非晶半导体层以及在非晶半导体层上的结晶半导体层。所述衬底包括用于光电器件的第一部分和用于与所述光电器件耦合的晶体管的第二部分。所述第一部分包括第一掺杂区以及在第一掺杂区之上的第二掺杂区，其中，所述第二掺杂区的导电类型与所述第一掺杂区的导电类型相同。所述第二部分包括与所述第二掺杂区相邻的沟道形成区，其中所述沟道形成区的导电类型与所述第二掺杂区的导电类型相反。所述第一掺杂区的至少一部分设置在所述非晶半导体层中。所述第二掺杂区的至少一部分设置在所述结晶半导体层中。 | ||
| 搜索关键词： | 像素 单元 及其 制造 方法 以及 成像 装置 | ||
【主权项】：
1.一种像素单元，其特征在于，包括：衬底，所述衬底包括非晶半导体层以及在非晶半导体层上的结晶半导体层，所述衬底包括用于光电器件的第一部分和用于与所述光电器件耦合的晶体管的第二部分，其中所述第一部分包括第一掺杂区以及在第一掺杂区之上的第二掺杂区，其中，所述第二掺杂区的导电类型与所述第一掺杂区的导电类型相同；所述第二部分包括与所述第二掺杂区相邻的沟道形成区，其中所述沟道形成区的导电类型与所述第二掺杂区的导电类型相反；其中，所述第一掺杂区的至少一部分设置在所述非晶半导体层中，而所述第二掺杂区的至少一部分设置在所述结晶半导体层中。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于德淮半导体有限公司，未经德淮半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201711283564.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
