[发明专利]集成电路器件

摘要

一种集成电路(IC)器件包括至少一个标准单元。该至少一个标准单元包括：第一有源区和第二有源区，分别设置在虚设区域的两侧的每个上，第一有源区和第二有源区具有不同的导电类型并在第一方向上延伸；第一栅线和第二栅线，在垂直于第一方向的第二方向上平行于彼此延伸跨过第一有源区和第二有源区；第一旁路互连结构，配置为电连接第一栅线与第二栅线；以及第二旁路互连结构，配置为电连接第二栅线与第一栅线。第一旁路互连结构和第二旁路互连结构包括在第一方向上延伸的下互连层、在第二方向上延伸的上互连层以及接触通路。

主权项

1.一种集成电路器件，包括至少一个标准单元，其中所述至少一个标准单元包括：

第一有源区和第二有源区，分别设置在虚设区域的两侧的每个上，所述第一有源区和所述第二有源区具有不同的导电类型并在第一方向上延伸；

第一栅线和第二栅线，在垂直于所述第一方向的第二方向上跨过所述第一有源区和所述第二有源区平行于彼此延伸，其中第一栅线包括第一栅线的第一部分和第一栅线的第二部分，第二栅线包括第二栅线的第一部分和第二栅线的第二部分；

第一旁路互连结构，配置为电连接所述第一栅线的在所述第一有源区上的所述第一部分与所述第二栅线的在所述第二有源区上的所述第二部分；以及

第二旁路互连结构，配置为电连接所述第二栅线的在所述第一有源区上的所述第一部分与所述第一栅线的在所述第二有源区上的所述第二部分，

其中所述第一旁路互连结构和所述第二旁路互连结构包括在所述第一方向上延伸的下互连层、在所述第二方向上延伸的上互连层以及在所述第一有源区和所述第二有源区中的至少一个上以连接所述下互连层与所述上互连层的接触通路。

2.如权利要求1所述的集成电路器件，其中所述第一旁路互连结构交叠所述第一有源区和所述第二有源区以及所述虚设区域，并且

其中所述第二旁路互连结构交叠所述第一有源区和所述第二有源区以及所述虚设区域并与所述第一旁路互连结构间隔开。

3.如权利要求1所述的集成电路器件，还包括:

第一栅极接触，设置在所述第一栅线的在所述第一有源区上的所述第一部分上；

第二栅极接触，设置在所述第一栅线的在所述第二有源区上的所述第二部分上；

第三栅极接触，设置在所述第二栅线的在所述第一有源区上的所述第一部分上；以及

第四栅极接触，设置在所述第二栅线的在所述第二有源区上的所述第二部分上，

其中所述第一栅极接触和所述第三栅极接触处于相对于彼此交错的形式，或者所述第二栅极接触和所述第四栅极接触处于相对于彼此交错的形式。

4.如权利要求3所述的集成电路器件，其中所述第一栅极接触、所述第二栅极接触、所述第三栅极接触和所述第四栅极接触具有小于或等于所述第一栅线和所述第二栅线的节距的宽度。

5.如权利要求1所述的集成电路器件，还包括在所述虚设区域上跨过所述第一栅线和第二栅线的栅极切断层，所述栅极切断层配置为将所述第一栅线分离为第一下栅线和第一上栅线并将所述第二栅线分离为第二下栅线和第二上栅线。

6.如权利要求5所述的集成电路器件，其中所述栅极切断层在所述第一方向上的宽度小于或等于所述第一栅线和所述第二栅线的节距的两倍。

7.如权利要求5所述的集成电路器件，其中所述下互连层包括第一至第四下互连层，

其中所述第一下互连层和所述第二下互连层中的一个连接到所述第一下栅线，所述第一下互连层和所述第二下互连层中的另一个连接到所述第二下栅线。

8.如权利要求7所述的集成电路器件，其中所述第三下互连层和所述第四下互连层中的一个连接到所述第一上栅线，所述第三下互连层和所述第四下互连层中的另一个连接到所述第二上栅线。

9.如权利要求7所述的集成电路器件，其中所述第一下互连层和所述第二下互连层在所述第一有源区上，并且

其中所述第三下互连层和所述第四下互连层在所述第二有源区上。

10.如权利要求7所述的集成电路器件，其中所述第二下互连层和所述第三下互连层中的任一个的至少一部分交叠所述虚设区域。

11.如权利要求1所述的集成电路器件，还包括公共接触垫，该公共接触垫从所述第一有源区的在所述第一栅线和所述第二栅线之间的部分延伸到所述第二有源区的在所述第一栅线和所述第二栅线之间的部分。

12.如权利要求11所述的集成电路器件，还包括在位于所述虚设区域上的所述公共接触垫上的输出通路，

其中所述下互连层还包括连接到所述输出通路的第五下互连层，并且

其中所述第五下互连层在所述第一方向上在所述虚设区域上延伸。

13.一种集成电路器件，包括：

第一有源区和第二有源区，分别设置在虚设区域的两侧的每个上，所述第一有源区和所述第二有源区具有不同的导电类型并在第一方向上延伸；

第一下栅线和第二下栅线，在所述第一有源区上在垂直于所述第一方向的第二方向上平行于彼此延伸；

第一上栅线和第二上栅线，在所述第二有源区上在所述第二方向上延伸并平行于彼此布置，所述第一上栅线和所述第二上栅线分别与所述第一下栅线和所述第二下栅线间隔开设置；

第一旁路互连结构，配置为电连接所述第一下栅线与所述第二上栅线；以及

第二旁路互连结构，配置为电连接所述第二下栅线与所述第一上栅线，

其中所述第一旁路互连结构和所述第二旁路互连结构包括具有在所述第一方向上延伸的单向结构的下互连层、具有在所述第二方向上延伸的单向结构的上互连层、以及在所述第一有源区和所述第二有源区中的至少一个上以连接所述下互连层与所述上互连层的接触通路。

14.如权利要求13所述的集成电路器件，还包括:

第一栅极接触，设置在所述第一下栅线上；

第二栅极接触，设置在所述第一上栅线上；

第三栅极接触，设置在所述第二下栅线上；以及

第四栅极接触，设置在所述第二上栅线上，

其中所述第一栅极接触和所述第三栅极接触处于相对于彼此交错的形式，或者所述第二栅极接触和所述第四栅极接触处于相对于彼此交错的形式。

15.如权利要求14所述的集成电路器件，其中所述第一栅极接触和所述第三栅极接触中的一个连接到所述第一旁路互连结构，所述第一栅极接触和所述第三栅极接触中的另一个连接到所述第二旁路互连结构。

16.如权利要求14所述的集成电路器件，其中所述第二栅极接触和所述第四栅极接触中的一个连接到所述第一旁路互连结构，所述第二栅极接触和所述第四栅极接触中的另一个连接到所述第二旁路互连结构。

17.如权利要求14所述的集成电路器件，其中所述第一栅极接触、所述第二栅极接触、所述第三栅极接触和所述第四栅极接触在所述第一方向上具有小于或等于所述第一上栅线和所述第二上栅线的节距的宽度。

18.如权利要求14所述的集成电路器件，其中所述下互连层包括在所述第一有源区上的第一下互连层和第二下互连层以及在所述第二有源区上的第三下互连层和第四下互连层，并且

其中所述第一下互连层和所述第二下互连层中的一个连接到所述第一旁路互连结构，所述第一下互连层和所述第二下互连层中的另一个连接到所述第二旁路互连结构。

19.如权利要求18所述的集成电路器件，其中所述第三下互