[发明专利]用于制造半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201711284556.8 | 申请日： | 2017-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN109427897B | 公开（公告）日： | 2022-05-03 |
| 发明（设计）人： | 范家声;林俊言;谢东衡;杨宝如 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/423;H01L21/266 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供一种用于缓解包括连续有源区的器件中的泄漏电流的方法和结构。在一些实施例中，通过改变光掩模逻辑操作(LOP)以在单元边界处反转阈值电压类型来增加单元边界处的阈值电压。可选地，在一些情况中，通过在单元边界处执行阈值电压注入(例如，离子注入)并且注入设置在单元边界处的伪栅极中来增加单元边界处的阈值电压。此外，在一些实施例中，通过在单元边界处使用硅锗(SiGe)沟道来增加单元边界处的阈值电压。在一些情况中，SiGe可以设置在衬底内的单元边界处和/或SiGe可以是设置在单元边界处的伪栅极的一部分。本发明实施例还提供另外两种用于制造半导体器件的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造半导体器件的方法，包括：提供包括第一有源区和在边界处邻接所述第一有源区的第二有源区的衬底；在所述第一有源区内形成第一鳍，在所述第二有源区内形成第二鳍，并且在所述边界处形成伪鳍；在所述第一鳍、所述第二鳍和所述伪鳍上方沉积多个栅极层的第一栅极层；在所述第一栅极层上方沉积第一光刻胶层，并且使用第一掩模在所述第一光刻胶层内图案化第一开口，其中，所述第一开口暴露所述第一鳍、所述第二鳍和所述伪鳍中的至少一个的上方的所述第一栅极层的一部分；以及使用蚀刻工艺去除所述第一栅极层的所述暴露部分以形成图案化第一栅极层。
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