[发明专利]有机发光二极管显示器及其制造方法

摘要

提供了一种有机发光二极管显示器及其制造方法。根据示例性实施例的有机发光二极管显示器包括：基底；像素，形成在基底上，并且包括显示图像的像素区域和与像素区域相邻的外围区域；绝缘层，在基底上位于像素区域和外围区域处；第一电极，在绝缘层上位于像素区域处；有机发射层，位于第一电极上，并且延伸到外围区域；第二电极，位于有机发射层上，并且设置在像素区域和外围区域中；辅助电极，在基底上位于外围区域中，并且被形成在绝缘层中的第一开口部分地暴露；以及辅助构件，设置在辅助电极上，并且与辅助电极的被第一开口暴露的上表面接触。

主权项

1.一种有机发光二极管显示器，所述有机发光二极管显示器包括：

基底；

像素，形成在所述基底上，并且包括显示图像的显示区域和与所述显示区域相邻的外围区域；

绝缘层，在所述基底上位于所述显示区域和所述外围区域处；

第一电极，在所述绝缘层上位于所述显示区域处；

有机发射层，位于所述第一电极上，并且延伸到所述外围区域；

第二电极，位于所述有机发射层上，并且设置在所述显示区域和所述外围区域中；

辅助电极，在所述基底上位于所述外围区域中，并且被形成在所述绝缘层中的第一开口部分地暴露；以及

辅助构件，位于所述辅助电极上，并且与所述辅助电极的被所述第一开口暴露的上表面接触。

2.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中，

所述辅助构件与所述辅助电极的所述上表面完全接触。

3.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中，

所述有机发射层在所述外围区域中设置在所述辅助构件上，并且具有暴露所述辅助构件的一部分的第二开口。

4.根据权利要求3所述的有机发光二极管显示器，其中，

所述第二电极通过所述第二开口与所述辅助构件接触。

5.根据权利要求3所述的有机发光二极管显示器，其中，

所述第二开口具有圆形形状。

6.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中，

所述辅助构件覆盖所述绝缘层的所述第一开口。

7.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中，

所述辅助构件与所述第一开口的内周的一部分接触。

8.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中，

所述辅助构件与所述第一电极由同一层形成。

9.根据权利要求8所述的有机发光二极管显示器，其中，

所述辅助构件通过顺序地堆叠铟锡氧化物、银和铟锡氧化物而形成。

10.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中，

所述辅助电极是传输共电压的共电压线。

11.根据权利要求10所述的有机发光二极管显示器，其中，

所述辅助电极通过顺序地堆叠钼、铝和钼而形成。

12.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中，

所述像素包括至少一个子像素，所述至少一个子像素包括所述显示区域和所述外围区域，并且

所述至少一个子像素是红色子像素。

13.一种用于制造有机发光二极管显示器的方法，所述方法包括：

准备基底；

在所述基底上形成薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括半导体层、位于所述半导体层上的栅电极以及连接到所述半导体层的源电极和漏电极；

在所述基底上形成供应共电压的辅助电极；

在所述薄膜晶体管和所述辅助电极上形成绝缘层，所述绝缘层暴露所述漏电极的一部分和所述辅助电极的一部分；

在所述绝缘层上形成第一电极，所述第一电极与所述漏电极接触；

形成辅助构件，所述辅助构件通过形成在所述绝缘层中的第一开口与所述辅助电极接触；

在所述第一电极和所述辅助构件上形成有机发射层；

去除所述有机发射层的一部分以暴露所述辅助构件的一部分；以及

在所述有机发射层上形成第二电极。

14.根据权利要求13所述的方法，其中，

通过使用激光来执行所述去除所述有机发射层的所述一部分的步骤。

15.根据权利要求13所述的方法，其中，

所述去除所述有机发射层的所述一部分的步骤包括通过去除所述有机发射层的所述一部分来形成第二开口。

16.根据权利要求15所述的方法，其中，

所述第二开口具有圆形形状。

17.根据权利要求13所述的方法，所述方法还包括：

形成像素限定层，所述像素限定层具有暴露所述辅助构件的第二部分的第三开口和暴露所述第一电极的一部分的第四开口。

18.根据权利要求13所述的方法，其中：

用同一层形成所述源电极、所述漏电极和所述辅助电极。

19.根据权利要求13所述的方法，其中，

用同一层形成所述第一电极和所述辅助构件。

20.根据权利要求13所述的方法，其中，

所述辅助构件与所述辅助电极的被所述第一开口暴露的整个上表面接触。