[发明专利]一种非晶态钴钨修饰泡沫镍催化电极、制备方法及其应用有效
申请号: | 201711285066.X | 申请日: | 2017-12-07 |
公开(公告)号: | CN108560017B | 公开(公告)日: | 2020-05-19 |
发明(设计)人: | 杨化桂;张乐;杨晓华 | 申请(专利权)人: | 华东理工大学 |
主分类号: | C25B11/03 | 分类号: | C25B11/03;C25B11/04;C25B1/04 |
代理公司: | 上海顺华专利代理有限责任公司 31203 | 代理人: | 顾雯 |
地址: | 200237 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: |
本发明涉及一种非晶态钴钨修饰的泡沫镍催化电极的电沉积制备方法,主要用于中性电解液中电催化分解水析氢。更为具体地,本发明采用硫酸钴和钨酸钠分别作为钴源和钨源,通过恒电流电沉积的方式在泡沫镍表面沉积一层非晶态的钴钨沉积层。这种电极在中性电解液中具有优异的电催化分解水析氢性能,在0.5~1.5mol/L PBS缓冲溶液中(pH=7)中,达到‑10mA/cm |
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搜索关键词: | 一种 晶态 修饰 泡沫 催化 电极 制备 方法 及其 应用 | ||
【主权项】:
1.一种非晶态钴钨修饰泡沫镍催化电极,采用硫酸钴和钨酸钠分别作为钴源和钨源,通过恒电流电沉积的方法在泡沫镍表面沉积一层非晶态的钴钨沉积层;所述电极在中性电解液中具有的电催化分解水析氢性能如下:在0.5~1.5mol/L PBS缓冲溶液(pH=7)中,达到‑10mA/cm2电流密度是‑73mV过电位,达到‑20mA/cm2电流密度是‑113mV过电位。
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