[发明专利]高硅高碳钢盘条奥氏体晶粒尺寸测量方法有效

专利信息
申请号: 201711285133.8 申请日: 2017-12-07
公开(公告)号: CN108020493B 公开(公告)日: 2020-08-11
发明(设计)人: 王雷;胡磊;麻晗;胡显军;施一新 申请(专利权)人: 江苏省沙钢钢铁研究院有限公司
主分类号: G01N15/02 分类号: G01N15/02
代理公司: 苏州市港澄专利代理事务所(普通合伙) 32304 代理人: 赵维达
地址: 215625 江苏省苏州市张家*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 本申请公开了一种高硅高碳钢盘条奥氏体晶粒尺寸测量方法,包括如下步骤:S1样品制备,将盘条加工成长度10cm、直径6mm的圆棒;S2样品处理,将所述圆棒在热模拟试验机上加热至850~1200℃,保温10‑60min,随后以30K/s的速度冷却至700‑720℃之间保温10min,最后迅速冷却至室温;S3样品观察,将步骤S2样品处理后的样品切割、镶嵌、磨抛后用苦味酸钠水溶液腐蚀,随后使用金相显微镜测量晶粒的尺寸。本发明的优点在于可以清晰的显现原奥氏体晶粒,且在样品整个截面上图像都非常清晰,成功率高,可以满足科学研究的需要。
搜索关键词: 高碳钢 奥氏体 晶粒 尺寸 测量方法
【主权项】:
1.一种高硅高碳钢盘条奥氏体晶粒尺寸测量方法,其特征在于,包括如下步骤:S1样品制备,将盘条加工成长度10cm、直径6mm的圆棒;S2样品处理,将所述圆棒在热模拟试验机上加热至850~1200℃,保温10-60min,随后以30K/s的速度冷却至700-720℃之间保温10min,最后迅速冷却至室温;S3样品观察,将步骤S2样品处理后的样品切割、镶嵌、磨抛后用苦味酸钠水溶液腐蚀,随后使用金相显微镜测量晶粒的尺寸。
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