[发明专利]一种透光性硬质氮化碳薄膜的制备方法有效
申请号: | 201711285578.6 | 申请日: | 2017-12-07 |
公开(公告)号: | CN108165952B | 公开(公告)日: | 2019-11-08 |
发明(设计)人: | 姜礼华;彭宇;汪涛;肖婷;向鹏;谭新玉 | 申请(专利权)人: | 三峡大学 |
主分类号: | C23C16/34 | 分类号: | C23C16/34;C23C16/513;C23C16/02;C23C16/56 |
代理公司: | 宜昌市三峡专利事务所 42103 | 代理人: | 成钢 |
地址: | 443002*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明公开了一种透光性硬质氮化碳薄膜的制备方法,该方法包括以下步骤:清洗玻璃基片;以甲烷为反应气体,采用等离子体增强化学气相沉积技术在玻璃基片表面沉积一层非晶碳薄膜;采用等离子体增强化学气相沉积技术对玻璃基片表面沉积的非晶碳薄膜进行氨气等离子体处理;以甲烷和氨气为反应气体,采用等离子体增强化学气相沉积技术在氨气等离子体处理后的非晶碳表面沉积一层氮化碳薄膜;在高纯氮气气氛中低温热处理氮化碳薄膜。该方法通过修饰玻璃基片表面化学键、优化氮化碳薄膜中氮原子和氢原子含量以及在氮气氛围中采用低温热处理的方法调整薄膜内应力,从而使氮化碳薄膜具有良好的硬度和透光性。 | ||
搜索关键词: | 氮化碳薄膜 等离子体增强化学气相沉积 玻璃基片表面 透光性 氨气等离子体处理 非晶碳薄膜 反应气体 甲烷 硬质 沉积 制备 氨气 低温热处理 化学键 热处理 表面沉积 玻璃基片 氮气氛围 方法调整 高纯氮气 氮原子 非晶碳 氢原子 中低温 薄膜 修饰 清洗 优化 | ||
【主权项】:
1.一种透光性硬质氮化碳薄膜的制备方法,其特征在于,该方法包括下述步骤:(1)清洗玻璃基片;(2)以高纯甲烷为工作气体,采用等离子体增强化学气相沉积方法在玻璃基片表面沉积一层非晶碳薄膜,其工艺参数是:射频功率300~400W,射频频率10‑15MHz,基片温度380~450℃,腔体压强80~120Pa,高纯甲烷气体流量60~90sccm,镀膜时间15~25秒,薄膜厚度为5~12纳米;(3)以高纯氨气为工作气体,采用等离子体增强化学气相沉积方法对玻璃基片表面的非晶碳薄膜进行氨气等离子体处理,氨气等离子体处理玻璃基片表面非晶碳薄膜的工艺参数是:射频功率200~300W,射频频率13.56MHz,基片温度380~450℃,腔体压强100~160Pa,高纯氨气气体流量40~70sccm,氨气等离子体处理时间10~20分钟;(4)以高纯甲烷和高纯氨气为反应气体,采用等离子体增强化学气相沉积方法在步骤(3)中氨气等离子体处理后的非晶碳薄膜表面制备一层氮化碳薄膜;(5)在高纯氮气气氛中对步骤(4)中所制备的氮化碳薄膜进行低温热处理。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的