[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201711286017.8 | 申请日： | 2017-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN109525232B | 公开（公告）日： | 2023-01-17 |
| 发明（设计）人： | 李建兴;张智胜;威尔曼·蔡;张家文;叶凌彦;卡洛斯·H·迪亚兹 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/687 | 分类号： | H03K17/687 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明的实施例涉及一种半导体器件包括：用于提供第一电位的第一电位供应线，用于提供比第一电位低的第二电位的第二电位供应线，功能电路，以及设置在第一电位供应线和功能电路之间的第一开关和设置在第二电位供应线和功能电路之间的第二开关中的至少一个。第一开关和第二开关是负电容FET。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：第一电位供应线，用于提供第一电位；第二电位供应线，用于提供比所述第一电位低的第二电位；功能电路；以及开关，设置在所述第一电位供应线和所述功能电路之间，其中：所述开关包括金属氧化物半导体场效应晶体管和负电容器，其中，所述负电容器示出负电容并具有第一端子和第二端子，以及所述第一端子电连接至所述金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极。
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