[发明专利]一种适合单片集成的高速高增益横向BJT结构及制备方法在审
| 申请号： | 201711286736.X | 申请日： | 2017-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN107895739A | 公开（公告）日： | 2018-04-10 |
| 发明（设计）人： | 王俊;方芳;梁世维 | 申请（专利权）人： | 湖南大学 |
| 主分类号： | H01L29/73 | 分类号： | H01L29/73;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京精金石专利代理事务所(普通合伙)11470 | 代理人： | 李旦 |
| 地址： | 410082 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公布了一种适合单片集成的高速高增益横向BJT结构及制备方法，该横向BJT器件可以在采用现有的垂直结构的功率BJT的外延片参数并和功率BJT同步制备的情况下依然保持高电流增益和快速开关的性能，十分便于单片集成。该结构采用在P型基区上生长外延的方式形成N型高掺杂层，通过刻蚀工艺在N型高掺杂层上形成集电区和发射区台面，并在P基区形成基极金属接触窗口。为了提高横向器件的性能，通过重新优化布局将BJT元胞的电极位置调整为发射极、集电极、基极，从而改变了电流路径，实现了器件性能的提升。该新型结构的横向BJT适用于制备小信号器件，并用于设计和制造逻辑、控制等单元，由于工艺和垂直的功率BJT的工艺完全兼容，方便制备功率集成模块。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 适合 单片 集成 高速 增益 横向 bjt 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种适合单片集成的高速高增益横向BJT结构，其特征在于，所述BJT为NPN型双极结型晶体管，所述器件包括：平面方向上，集电极位于发射极和基极之间；垂直方向上，N型发射区和N型集电区的台面在N型高掺杂层上、P型基区在P型掺杂层、N型漂移区与P基区间形成的PN结作为PN结隔离。
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