[发明专利]一种掺镝氧化镥可见波段激光晶体及其制备方法在审
申请号: | 201711287883.9 | 申请日: | 2017-12-07 |
公开(公告)号: | CN108130591A | 公开(公告)日: | 2018-06-08 |
发明(设计)人: | 施佼佼;徐军;唐慧丽;王庆国;吴锋;罗平;刘斌 | 申请(专利权)人: | 同济大学 |
主分类号: | C30B29/16 | 分类号: | C30B29/16;C30B13/00;H01S3/16;C30B13/22 |
代理公司: | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人: | 蒋亮珠 |
地址: | 200092 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明涉及一种掺镝氧化镥可见波段激光晶体及其制备方法,该晶体的化学式为(DyxLu1‑x)2O3,其中x的取值范围为0.00001~0.3,其晶胞参数为1.0411nm,密度为9.42g/cm3。采用光学浮区法生长掺镝氧化镥激光晶体,生长气氛为高纯氩。与现有技术相比,本发明掺镝氧化镥激光晶体可采用InGaN激光二极管泵浦,并且具有较大的黄光荧光分支比,有望实现可见波段的高效黄光输出。该发明可广泛应用于医疗、通讯、显微镜、生物医学等。 | ||
搜索关键词: | 激光晶体 氧化镥 可见波段 黄光 制备 激光二极管泵浦 光学浮区法 晶胞参数 生长气氛 生物医学 分支比 高纯氩 晶体的 荧光 显微镜 输出 生长 通讯 医疗 应用 | ||
【主权项】:
一种掺镝氧化镥可见波段激光晶体,其特征在于,该晶体的化学式为(DyxLu1‑x)2O3,其中x的取值范围为0.00001~0.3,其晶胞参数为1.0411nm,密度为9.42g/cm3。
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