[发明专利]STI氧化物陷阱电荷提取方法、装置、介质和计算机设备在审
| 申请号： | 201711288054.2 | 申请日： | 2017-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN108108536A | 公开（公告）日： | 2018-06-01 |
| 发明（设计）人： | 彭超;雷志锋;张战刚;何玉娟;恩云飞;黄云 | 申请（专利权）人： | 中国电子产品可靠性与环境试验研究所 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 黄晓庆 |
| 地址： | 510610 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种STI氧化物陷阱电荷提取方法、装置、介质和计算机设备，对MOS器件进行结构仿真，得到器件结构模型。根据器件结构模型进行电学仿真，得到MOS器件在ON偏置状态下STI侧壁边缘的表面势。根据STI侧壁边缘的表面势计算STI寄生晶体管的等效栅氧厚度，根据STI寄生晶体管的等效栅氧厚度得到STI氧化层等效陷阱电荷密度。通过建立模型确定MOS器件在ON偏置状态下STI侧壁边缘的表面势，根据STI侧壁边缘的表面势计算STI寄生晶体管的等效栅氧厚度进而得到STI氧化层等效陷阱电荷密度，不需要借助总剂量辐照实验，通过仿真计算就能较精确地预测MOS器件的总剂量辐射效应退化，得到STI中辐射感应陷阱电荷的真实分布，从而更准确地评估MOS器件的总剂量辐射效应。 | ||
| 搜索关键词： | 侧壁边缘 表面势 寄生晶体管 陷阱电荷 栅氧 氧化物陷阱电荷 计算机设备 总剂量辐射 偏置状态 器件结构 氧化层 总剂量辐照 仿真计算 建立模型 结构仿真 真实分布 电学 退化 辐射 评估 预测 | ||
【主权项】：
1.一种STI氧化物陷阱电荷提取方法，其特征在于，包括以下步骤：对MOS器件进行结构仿真，得到器件结构模型；根据所述器件结构模型进行电学仿真，得到MOS器件在ON偏置状态下STI侧壁边缘的表面势；根据所述STI侧壁边缘的表面势计算STI寄生晶体管的等效栅氧厚度；根据所述STI寄生晶体管的等效栅氧厚度得到STI氧化层等效陷阱电荷密度。
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