[发明专利]半导体结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201711290240.X | 申请日： | 2017-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN109103262B | 公开（公告）日： | 2023-02-28 |
| 发明（设计）人： | 陈奕升;陈自强;张智胜;吴政宪 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 形成半导体器件的方法包括：提供半导体结构，半导体结构包括从第一区延伸到第二区的第一半导体材料。该方法还包括去除第二区中的第一半导体材料的部分以形成凹槽，该凹槽暴露设置在第一区中的第一半导体材料的侧壁；形成覆盖侧壁的介电材料；当介电材料覆盖侧壁时，在邻近介电材料的第二区中外延生长第二半导体材料；以及形成包括第一半导体材料的第一鳍和和包括第二半导体材料的第二鳍。本发明的实施例还涉及半导体结构及其制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成半导体器件的方法，包括：提供半导体结构，所述半导体结构包括从第一区延伸到第二区的第一半导体材料；去除所述第二区中的所述第一半导体材料的部分以形成凹槽，所述凹槽暴露设置在所述第一区中的所述第一半导体材料的侧壁；形成覆盖所述侧壁的介电材料；当所述介电材料覆盖所述侧壁时，在邻近所述介电材料的所述第二区中外延生长第二半导体材料；以及形成包括所述第一半导体材料的第一鳍和和包括所述第二半导体材料的第二鳍。
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