[发明专利]一种硅片边缘抛光工艺有效
| 申请号： | 201711290241.4 | 申请日： | 2017-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN109894962B | 公开（公告）日： | 2020-04-17 |
| 发明（设计）人： | 路一辰;王新;李俊峰;潘紫龙;王玥;李耀东;曲翔;史训达 | 申请（专利权）人： | 有研半导体材料有限公司 |
| 主分类号： | B24B29/02 | 分类号： | B24B29/02;C11D7/04;C11D7/18 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人： | 刘秀青 |
| 地址： | 101300 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硅片边缘抛光工艺，该工艺包括以下步骤：(1)使用清洗机对硅片进行清洗处理；(2)将清洗后的硅片进行机台对中处理；(3)对硅片的圆边边缘进行抛光处理；(4)将完成圆边边缘抛光的硅片进行参考面定位处理；(5)对完成参考面位置确定的硅片进行参考面边缘抛光处理。本发明通过增加边抛前清洗处理和改变边缘抛光流程顺序，有效的解决了边抛过程中造成的参考面边缘腐蚀损伤的问题，得到光滑无损伤的参考面边缘，提高了外延加工和器件加工成品率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅片 边缘 抛光 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种硅片边缘抛光工艺，其特征在于，包括以下步骤：(1)使用清洗机对硅片进行清洗处理；(2)将清洗后的硅片进行机台对中处理；(3)对硅片的圆边边缘进行抛光处理；(4)将完成圆边边缘抛光的硅片进行参考面定位处理；(5)对完成参考面位置确定的硅片进行参考面边缘抛光处理。
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