[发明专利]一种实现非对称传输的微纳金属结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201711290615.2 | 申请日： | 2017-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN107946182B | 公开（公告）日： | 2019-12-27 |
| 发明（设计）人： | 王莉;王天堃;赵文静;张中月;孙永伟 | 申请（专利权）人： | 陕西师范大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/62;H01Q15/00 |
| 代理公司： | 61221 西安智萃知识产权代理有限公司 | 代理人： | 赵双 |
| 地址： | 710119 陕西省西安市长*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种实现非对称传输的微纳金属结构及其制备方法，该结构由多个结构相同的周期单元上下、左右连接而成，且所有周期单元位于同一平面；每个周期单元中包含有一个结构单元，每个结构单元包括横体Ⅰ、横体Ⅱ、横体Ⅲ、横体Ⅳ和竖体；横体Ⅰ、横体Ⅱ、横体Ⅲ和横体Ⅳ由上及下依次排列且与竖体垂直相连，横体之间间隔相等且互相平行，横体Ⅰ、横体Ⅱ的左顶端与竖体连接，分布在竖体的右侧，横体Ⅲ、横体Ⅳ的右顶端与竖体连接，分布在竖体的左侧。在极化转化光谱上呈现出共振峰的模式，得到的“双F”形结构的非对称性传输的值很大，最大值可以达到ATmax=14.2%，比单独的Z形与C形结构非对称性传输效率大了32倍及40倍。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 实现 对称 传输 金属结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种实现非对称传输的微纳金属结构，其特征在于：所述结构由多个结构相同的周期单元上下、左右连接而成，且所有周期单元均位于同一平面；/n所述每个周期单元中包含有一个结构单元；所述结构单元包括横体Ⅰ（1）、横体Ⅱ（2）、横体Ⅲ（3）、横体Ⅳ（4）和竖体（5），横体Ⅰ（1）、横体Ⅱ（2）、横体Ⅲ（3）、横体Ⅳ（4）和竖体（5）均为长方体，且横体Ⅰ（1）、横体Ⅱ（2）、横体Ⅲ（3）、横体Ⅳ（4）和竖体（5）为一体成型结构；/n所述横体Ⅰ（1）、横体Ⅱ（2）、横体Ⅲ（3）和横体Ⅳ（4）由上及下依次排列且与所述竖体（5）垂直相连；所述横体Ⅰ（1）、横体Ⅱ（2）、横体Ⅲ（3）、横体Ⅳ（4）之间间隔相等且互相平行；所述横体Ⅰ（1）、横体Ⅱ（2）的左顶端与所述竖体（5）连接，分布在所述竖体（5）的右侧，所述横体Ⅲ（3）、横体Ⅳ（4）的右顶端与所述竖体（5）连接，分布在所述竖体（5）的左侧；/n横体Ⅰ（1）的上顶面与竖体（5）的上顶面齐平，横体Ⅳ（4）的下底面与竖体（5）的下底面齐平；所述横体Ⅰ（1）、横体Ⅱ（2）、横体Ⅲ（3）和横体Ⅳ（4）结构相同；所述竖体（5）的长度大于所述横体Ⅰ（1）宽度的4倍，所述竖体（5）的宽度和所述横体Ⅰ（1）宽度相等；/n所述结构单元的材料为金。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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