[发明专利]一种曲面顺形微流体器件制备方法有效

专利信息
申请号: 201711291205.X 申请日: 2017-12-08
公开(公告)号: CN108056755B 公开(公告)日: 2020-05-19
发明(设计)人: 陈良洲;安宏彬;金磊;陈有林;宋畅 申请(专利权)人: 华中科技大学
主分类号: A61B5/00 分类号: A61B5/00;A61B3/10;B32B37/06;B32B38/00
代理公司: 华中科技大学专利中心 42201 代理人: 许恒恒;李智
地址: 430074 湖北*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明属于微纳制造领域,具体公开了一种曲面顺形微流体器件制备方法,包括以下步骤:(1)制备含微流通道的软质层;(2)制备含硬质层的目标基底,该硬质层上还设置有PDMS缓冲层;(3)将软质层与目标基底两者进行改性处理然后将两者接触并加热键合,获得平面式微流体器件;(4)加热该平面式微流体器件,然后通过热塑成型工艺处理,冷却后即得到三维曲面微流体器件。本发明通过关键的三维曲面顺形工艺,及相应平面式微流体器件的结构及制备工艺的各个步骤及参数设置进行改进,与现有技术相比能够有效解决三维曲面式微流体器件制备困难,平面式微流体器件无法顺应形状、应用受限的问题。
搜索关键词: 一种 曲面 顺形微 流体 器件 制备 方法
【主权项】:
1.一种曲面顺形微流体器件制备方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)制备含微流通道的软质层,该软质层是采用室温下杨氏模量为0.1-10MPa的热固性材料;(2)制备含硬质层的目标基底:将硬质层表面进行电晕或氧离子体改性,然后对该改性后的硬质层进行硅烷偶联处理,接着对硅烷偶联处理后的硬质层再次进行表面电晕或氧离子体改性处理,然后在该硬质层表面旋涂PDMS缓冲层并使其固化,从而得到目标基底;所述硬质层是采用室温下杨氏模量为0.1-10GPa的材料;(3)将所述步骤(1)得到的所述软质层与所述步骤(2)得到的所述目标基底两者进行表面电晕或氧离子体改性处理,然后将两者接触并加热使所述PDMS缓冲层与所述软质层两者键合,获得平面式微流体器件;(4)加热所述步骤(3)得到的所述平面式微流体器件,然后通过热塑成型工艺使该微流体器件的平面式结构顺形成三维曲面结构,冷却后即得到三维曲面微流体器件。
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