[发明专利]半导体元件制造方法在审
| 申请号： | 201711292073.2 | 申请日： | 2017-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN108630761A | 公开（公告）日： | 2018-10-09 |
| 发明（设计）人： | 林时彦;陈冠超;李嗣涔;潘正圣 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司;林时彦 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体元件制造方法，包括通过将等离子施加到多个金属二硫族化物膜，来等离子蚀刻设置在基板上的多个金属二硫族化物膜的一部分，此多个金属二硫族化物膜包含金属和硫族元素的化合物。在等离子蚀刻之后，将硫族元素施加到多个金属二硫族化物膜的剩余部分，以修复等离子蚀刻对多个金属二硫族化物膜的剩余部分的损伤。所述硫族元素是S、Se或Te。 | ||
| 搜索关键词： | 硫族化物膜 金属 等离子蚀刻 硫族元素 半导体元件制造 施加 等离子 基板 损伤 修复 | ||
【主权项】：
1.一种半导体元件制造方法，其特征在于，包括：通过将一等离子施加到多个金属二硫族化物膜，来等离子蚀刻设置在一基板上的所述多个金属二硫族化物膜的一部分，所述多个金属二硫族化物膜包含一金属和一硫族元素的一化合物；以及在该等离子蚀刻之后，将一额外量的该硫族元素施加到所述多个金属二硫族化物膜的多个剩余部分，以修复该等离子蚀刻对所述多个金属二硫族化物膜的所述多个剩余部分的损伤，其中该硫族元素是S、Se或Te。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司;林时彦，未经台湾积体电路制造股份有限公司;林时彦许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201711292073.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
