[发明专利]单片三维(3D)集成电路及其制造方法有效
| 申请号： | 201711292805.8 | 申请日： | 2017-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN109119414B | 公开（公告）日： | 2020-12-01 |
| 发明（设计）人： | 让-皮埃尔·科林格;卡洛斯·H·迪亚兹;郭大鹏 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L27/088;H01L23/528;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明的实施例提供了一种用于制造具有无结半导体器件(JSD)的单片三维(3D)集成电路(IC)的方法及其所形成的集成电路。在半导体衬底上方形成第一层间介电(ILD)层，同时也在第一ILD层中形成交替堆叠的第一通孔和第一互连线。将第一掺杂型层和第二掺杂型层转移至第一ILD层的顶面。第一和第二掺杂型层是堆叠的并且是具有相反掺杂类型的半导体材料。图案化第一和第二掺杂型层以形成第一掺杂型线和位于第一掺杂型线上面的第二掺杂型线。形成跨越第一和第二掺杂型线的栅电极。栅电极以及第一和第二掺杂型线至少部分地限定JSD。 | ||
| 搜索关键词： | 单片 三维 集成电路 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造集成电路(IC)的方法，所述方法包括：在半导体衬底上方形成第一层间介电(ILD)层，同时也在所述第一层间介电层中形成交替堆叠的第一通孔和第一互连线；将第一掺杂型层和第二掺杂型层转移至所述第一层间介电层的顶面，其中，所述第一掺杂型层和所述第二掺杂型层是堆叠的并且是具有相反掺杂类型的半导体材料；图案化所述第一掺杂型层和所述第二掺杂型层以形成第一掺杂型线和位于所述第一掺杂型线上面的第二掺杂型线；以及形成跨越所述第一掺杂型线和所述第二掺杂型线的栅电极，其中，所述栅电极以及所述第一掺杂型线和所述第二掺杂型线至少部分地限定无结半导体器件(JSD)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
