[发明专利]一种晶体外延结构及生长方法在审
| 申请号： | 201711294749.1 | 申请日： | 2017-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN107845695A | 公开（公告）日： | 2018-03-27 |
| 发明（设计）人： | 颜建;黄勇;胡双元;帕勒布·巴特查亚;和田修 | 申请（专利权）人： | 苏州矩阵光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0352 | 分类号： | H01L31/0352;H01L31/0735;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司11250 | 代理人： | 马永芬 |
| 地址： | 215614 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体器件领域，公开了一种晶体外延结构及生长方法，晶体外延生长方法包括以下步骤在衬底的第一表面形成晶格匹配层；在所述衬底的第二表面形成第一晶格失配层；在所述晶格匹配层上形成第二晶格失配层；所述第一晶格失配层、所述衬底以及所述第二晶格失配层的晶格常数单调递增或单调递减。本发明中第一晶格失配层的形成有效改变了衬底和晶格匹配层的应变状态，从而有效减弱了第二晶格失配层形成时所产生的应变，抑制了位错的产生，提高了晶体外延结构的质量，进而提高半导体器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶体 外延 结构 生长 方法 | ||
【主权项】：
一种晶体外延生长方法，其特征在于，包括以下步骤：在衬底(1)的第一表面(11)形成晶格匹配层(2)；在所述衬底(1)的第二表面(12)形成第一晶格失配层(3)；在所述晶格匹配层(2)上形成第二晶格失配层(4)；所述第一晶格失配层(3)、所述衬底(1)以及所述第二晶格失配层(4)的晶格常数单调递增或单调递减。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
