[发明专利]腔室环境恢复方法及刻蚀方法有效
| 申请号： | 201711294783.9 | 申请日： | 2017-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN109904054B | 公开（公告）日： | 2021-08-13 |
| 发明（设计）人： | 徐奎;侯珏;陈鹏 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;张天舒 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种腔室环境恢复方法，包括：氧化步骤：开启电源，且向反应腔室内通入氧气，以将氧气激发形成等离子体，该等离子体与反应腔室中的颗粒发生反应，预设时间后对所述反应腔室抽气；保护膜形成步骤：通入刻蚀气体并激发形成等离子体，该等离子体刻蚀具有保护材料的被刻蚀件，以在反应腔室的内壁上形成保护膜。本发明还提供一种刻蚀方法，该腔室环境恢复方法及刻蚀方法，既能够解决颗粒污染，又能够同时保证产能和后续刻蚀过程的刻蚀速率。 | ||
| 搜索关键词： | 环境 恢复 方法 刻蚀 | ||
【主权项】：
1.一种腔室环境恢复方法，其特征在于，包括：氧化步骤：开启电源，且向腔室内通入氧气，以将氧气激发形成等离子体，该等离子体与腔室中的颗粒发生反应，预设时间后对腔室抽气；保护膜形成步骤：通入刻蚀气体并激发形成等离子体，该等离子体用于刻蚀具有保护材料的被刻蚀件，以在反应腔室的内壁上形成保护膜。
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