[发明专利]半导体装置结构的形成方法在审
| 申请号： | 201711295814.2 | 申请日： | 2017-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN108231667A | 公开（公告）日： | 2018-06-29 |
| 发明（设计）人： | 李雅玲;潘兴强;林耕竹;杨文成;李志聪;卢一斌 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 冯志云;张福根 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开提供半导体装置结构及其形成方法。上述方法包含将半导体基底置于物理气相沉积腔室内。上述方法也包含导入等离子体形成气体至物理气相沉积腔室内，其中等离子体形成气体含有含氧气体。上述方法还包含施加射频功率至位于物理气相沉积腔室内的金属靶，以激发等离子体形成气体而产生等离子体。此外，上述方法包含将等离子体导向位于物理气相沉积腔室内的金属靶，使得蚀刻停止层形成于半导体基底上。 | ||
| 搜索关键词： | 物理气相沉积 等离子体形成气体 室内 等离子体 半导体装置结构 半导体基底 金属靶 蚀刻停止层 含氧气体 射频功率 施加 激发 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置结构的形成方法，包括：将一半导体基底置于一物理气相沉积腔室内；导入一等离子体形成气体至该物理气相沉积腔室内，其中该等离子体形成气体含有一含氧气体；施加一射频功率至位于该物理气相沉积腔室内的一金属靶，以激发该等离子体形成气体而产生一等离子体；以及将该等离子体导向位于该物理气相沉积腔室内的该金属靶，使得一蚀刻停止层形成于该半导体基底上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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