[发明专利]CZTS太阳能电池制作方法

摘要

本发明提供了一种CZTS太阳能电池制作方法，包括以下步骤：（A）清洗衬底；（B）溅射背电极层；（C）按Cu原子数：Zn+Sn原子数为0.6~0.95以及Zn原子数：Sn原子数为0.7~1.3的比例共溅射制作前躯体层；（D）将含有该前躯体层的基片置于570~630℃的惰性气体氛围内进行硫化处理，得到CZTS薄膜；（E）用磁控溅射加热含该CZTS薄膜的基片至400~500℃温度，并且在该CZTS薄膜上溅射厚度为25~45nm的CdS缓冲层，并使含该CdS缓冲层的基片在400~500℃的温度下热处理5~15分钟；（F）制作30~80nm的本征氧化锌层；（G）制作300~500nm的掺铝氧化锌层；（H）制作1~3μm的栅电极层。该方法具有制作流程简单，可以大幅提高电池吸收层组分的均匀性、二极管品质因子和转换效率的优点。

主权项

1.一种CZTS太阳能电池制作方法，其特征在于，包括以下步骤：（A）清洗衬底，该衬底为钠钙玻璃衬底，该（A）步骤包括以下步骤：（A1）使用酒精灯火焰将该钠钙玻璃衬底的正面和反面分别烘烤30~90秒；（A2）使用洗洁精清洗该钠钙玻璃衬底；（B）使用磁控溅射技术在该衬底上溅射背电极层；（C）按Cu原子数：Zn+Sn原子数为0.6~0.95以及Zn原子数：Sn原子数为0.7~1.3的比例调控含铜元素靶、含锌元素靶和含锡元素靶的溅射功率，进而在该背电极层上共溅射制作前躯体层；（D）将含有该前躯体层的基片置于570~630℃的惰性气体氛围内进行硫化处理，得到CZTS薄膜；（E）使用磁控溅射加热含该CZTS薄膜的基片至400~500℃温度，并且在该CZTS薄膜上溅射厚度为25~45nm的CdS缓冲层，并使含该CdS缓冲层的基片在400~500℃的温度下热处理5~15分钟；（F）在该CdS缓冲层上溅射制作30~80nm的本征氧化锌层；（G）在该本征氧化锌层上溅射制作300~500nm的掺铝氧化锌层；（H）使用热蒸发技术在该掺铝氧化锌层上制作1~3μm的栅电极层。