[发明专利]一种基于光热效应的可控量子点阵列制备方法

摘要

本发明公开了一种基于光热效应的可控量子点阵列制备方法，该方法是以金属或合金纳米颗粒阵列作为模板，通过光源引发的局部表面等离激元热效应控制量子点前驱体的反应条件，从而控制其制备位点，尺寸和成核密度，该方法主要包括基片表面预处理、表面金属薄膜淀积、金属纳米颗粒阵列制备、保护层淀积、量子点生长和基片后清洗处理六个步骤，实现了使用化学合成方法制备大面积、低成本的量子点阵列。本方法可以与半导体加工工艺相结合，其制备的量子点阵列可应用于量子点激光器，单光子光源，太阳能电池，高效发光二极管，存储器等器件的加工制造中。

主权项

一种基于光热效应的可控量子点阵列制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一，选择确定基片材料，并对所述基片材料进行表面清洁；步骤二，使用物理气相淀积法制备金属薄膜，所述金属薄膜的厚度为0.5～200nm；步骤三，将所述金属薄膜在真空条件或保护气氛下进行退火处理，制备得到金属纳米颗粒阵列；步骤四，在所述金属纳米颗粒阵列之上进行淀积或氧化生长保护层，所述保护层为氧化物或氮化物；步骤五，将载有所述金属纳米颗粒阵列的所述基片置于量子点前驱体溶液中，使用光源对所述金属纳米颗粒阵列进行固定或扫描照射处理，所述光源功率密度为0.1～5W/cm2，所述光源为脉冲式或连续式激光；步骤六，步骤五结束后，对所述基片使用三氯甲烷进行超声清洗，然后用乙醇对所述基片进行超声清洗，制备得到可控量子点阵列。