[发明专利]一种用于相变存储器的Sb-Se-Ti系列纳米复合相变薄膜及其制备方法

摘要

一种用于相变存储器的Sb‑Se‑Ti系列纳米复合相变薄膜，其化学组成符合化学通式(SbxSe1‑x)1‑yTiy，其中，0.25x0.95,0.01y0.3。本发明通过向Sb‑Se相变材料中掺入不同含量的钛元素，使Sb‑Se相变材料的晶化温度明显的提高，结晶激活能显著增强，数据保持能力大幅度提升，从而提高热稳定性，使PCRAM器件数据保持更长久，信息存储更可靠。同时，掺入不同含量的钛元素使得晶态电阻率有所提高，进而降低RESET电流，有利于降低PCRAM器件功耗；(SbxSe1‑x)1‑yTiy纳米相变薄膜材料具有较高的晶化温度、结晶激活能和十年数据保持力，有益于改善PCRAM的稳定性，具有良好的市场应用潜力。

主权项

1.一种用于相变存储器的Sb‑Se‑Ti系列纳米复合相变薄膜，其特征在于，其化学组成符合化学通式(Sb_xSe_1‑x)_1‑yTi_y，其中，0.25<x<0.95,0.01<y<0.3。