[发明专利]多重三维纳米结构的侧壁辅助制备方法在审
| 申请号： | 201711298788.9 | 申请日： | 2017-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN109904153A | 公开（公告）日： | 2019-06-18 |
| 发明（设计）人： | 唐成春;李俊杰;顾长志;杨海方;金爱子;姜倩晴 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | H01L27/06 | 分类号： | H01L27/06;H01L27/14;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京智汇东方知识产权代理事务所(普通合伙) 11391 | 代理人： | 康正德;薛峰 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种多重三维纳米结构的侧壁辅助制备方法，属于三维光电器件加工方法技术领域，其步骤包括：在基底上旋涂光敏感树脂或电子敏感树脂；通过光刻或者电子束刻蚀对应的光敏感树脂或电子敏感树脂，以构建三维模板，使得三维模板内形成预定形状的树脂微腔；在所述三维模板上通过沉积方法沉积预定材料；剥离所述三维模板表面的所述预定材料；去除所述三维模板的所述光敏感树脂或电子敏感树脂，以获得预定材料的多重三维纳米结构。本发明提供的多重三维纳米结构的侧壁辅助制备方法，能够制备复杂多重三维纳米结构，并简化其制备难度，提高制备效率。 | ||
| 搜索关键词： | 三维纳米结构 制备 三维 树脂 敏感树脂 光敏感 侧壁 预定材料 沉积预定材料 加工方法技术 电子束刻蚀 光电器件 模板表面 预定形状 沉积 构建 光刻 基底 去除 上旋 微腔 剥离 | ||
【主权项】：
1.一种多重三维纳米结构的侧壁辅助制备方法，其特征在于，包括以下步骤：s1、在基底上旋涂光敏感树脂或电子敏感树脂；s2、通过光刻或者电子束刻蚀对应的光敏感树脂或电子敏感树脂，以构建三维模板，使得三维模板内形成预定形状的树脂微腔；s3、在所述三维模板上通过沉积方法沉积预定材料；s4、剥离所述三维模板表面的所述预定材料；s5、去除所述三维模板的所述光敏感树脂或电子敏感树脂，以获得预定材料的多重三维纳米结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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