[发明专利]一种LTCC平面变压器的制作方法在审
申请号: | 201711299702.4 | 申请日: | 2017-12-09 |
公开(公告)号: | CN107768104A | 公开(公告)日: | 2018-03-06 |
发明(设计)人: | 王伟;沐方清;孙轼;项玮;董兆文 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第四十三研究所 |
主分类号: | H01F27/28 | 分类号: | H01F27/28;H01F27/30;H01F30/06;H01F41/04 |
代理公司: | 合肥天明专利事务所(普通合伙)34115 | 代理人: | 王丽丽,金凯 |
地址: | 230088 安*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明涉及一种LTCC平面变压器的制作方法,包括选取低导磁率介质层,将初级线圈和次级线圈分别印制在同一层所述低导磁率介质层上,得到线圈介质层;将线圈介质层沿线圈的内径和外径进行裁剪,得到线圈层;选取铁氧体基板层,裁剪出与线圈层外部及内部形状相匹配的铁氧体片一、铁氧体片二;将铁氧体片一及铁氧体片二分别镶嵌在线圈层的外部和内部,得到镶嵌层;将多个镶嵌层与上、下铁氧体端盖层叠一起,经过热压烧结形成LTCC平面变压器。本发明所述的LTCC平面变压器的制作方法与传统平面变压器相比,具有更高的耦合系数,低的漏感,可满足高压平面变压器和高频平面变压器的设计要求。 | ||
搜索关键词: | 一种 ltcc 平面 变压器 制作方法 | ||
【主权项】:
一种LTCC平面变压器的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)选取低导磁率介质层,对低导磁率介质层进行冲孔和填充;(2)将初级线圈和次级线圈分别印制在同一层所述低导磁率介质层上,得到线圈介质层;(3)将线圈介质层沿线圈的内径和外径进行裁剪,得到线圈层;(4)选取铁氧体基板层,在铁体基板层上开设一个与所述线圈层的形状相适配的通孔,以使线圈层嵌入所述通孔中,得到铁氧体片一;(5)选取铁氧体基板层,裁剪出与所述线圈层的内部形状相适配的铁氧体片二;(6)将铁氧体片一及铁氧体片二分别镶嵌在线圈层的外部和内部,得到镶嵌层;(7)将多个镶嵌层进行叠加,并将叠加后的镶嵌层与上、下铁氧体端盖层叠一起,经过热压烧结形成LTCC平面变压器。
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