[发明专利]半导体功率器件的超结结构及其制作方法有效
| 申请号： | 201711305322.7 | 申请日： | 2017-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN108091683B | 公开（公告）日： | 2020-09-22 |
| 发明（设计）人： | 冯林;朱敏 | 申请（专利权）人： | 深圳迈辽技术转移中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 深圳市兰锋知识产权代理事务所(普通合伙) 44419 | 代理人： | 曹明兰 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市龙华新区大浪街道龙*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种半导体功率器件的超结结构包括N型衬底、形成于N型衬底上的N型外延、形成于N型外延表面的第一沟槽与第二沟槽、位于N型外延中的第一沟槽下方的第三沟槽、位于N型外延中的第四沟槽、位于第三沟槽与第四沟槽表面的P型掺杂区、位于第三、第四沟槽中且P型掺杂区表面及第一及第二沟槽侧壁的多晶硅、形成于N型外延上及第一及第二沟槽中的P型外延、形成于第一与第二沟槽之间的N型外延表面的N型外延层、形成于P型外延表面且邻近N型外延层两侧的第一、第二N型注入区、形成于N型外延层上的氧化硅与多晶硅层、形成于P型外延层、N型注入区与多晶硅上的介质层、贯穿介质层的第一、第二通孔。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 功率 器件 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体功率器件的超结结构，其特征在于：所述超结结构包括N型衬底、形成于所述N型衬底上的N型外延、形成于所述N型外延表面的第一沟槽与第二沟槽、位于所述N型外延中的所述第一沟槽下方的与所述第一沟槽连通的第三沟槽、位于所述N型外延中的所述第二沟槽下方的与所述第二沟槽连通的第四沟槽、位于所述第三沟槽与第四沟槽表面的P型掺杂区、位于所述第三、第四沟槽中且所述P型掺杂区表面及所述第一及第二沟槽侧壁的多晶硅、形成于所述N型外延上及所述第一及第二沟槽中的P型外延、形成于所述第一与第二沟槽之间的N型外延表面的N型外延层、形成于所述P型外延表面且邻近所述N型外延层两侧的第一、第二N型注入区、形成于所述N型外延层上及邻近所述N型外延的部分P型外延层与部分两个N型注入区上的依次设置的氧化硅与多晶硅层、形成于所述P型外延层、所述N型注入区与所述多晶硅上的介质层、贯穿所述介质层且对应第一沟槽上的P型外延层及第一N型注入区的第一通孔及对应所述第二沟槽上的P型外延层及第二N型注入区的第二通孔，其中所述P型体区的P型离子的掺杂浓度比所述P型扩散层的P型离子的掺杂浓度高。
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