[发明专利]互连结构及其制造方法有效
申请号: | 201711306042.8 | 申请日: | 2017-12-11 |
公开(公告)号: | CN109904111B | 公开(公告)日: | 2021-08-06 |
发明(设计)人: | 韩秋华;严凯;吴端毅 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768;H01L23/538 |
代理公司: | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人: | 李浩 |
地址: | 100176 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种互连结构及其制造方法。该方法包括:提供衬底结构,包括:衬底、在衬底上的层间电介质层、贯穿层间电介质层的多个第一通孔和填充多个第一通孔的第一金属层;在衬底结构上形成通孔结构层,其所包括的双大马士革通孔结构包括:在通孔结构层中的第二通孔和第三通孔及在它们之上的开口;该开口露出通孔结构层的在第二通孔和第三通孔之间的部分;在第二通孔和第三通孔中填充第二金属层,第二金属层的上表面低于通孔结构层的上述部分的上表面;刻蚀通孔结构层的上述部分,使得该部分的上表面低于第二金属层的上表面;在开口中形成连接第二金属层的第三金属层。本发明解决了现有技术的菜花状缺陷问题。 | ||
搜索关键词: | 互连 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种互连结构的制造方法,其特征在于,包括:提供衬底结构,所述衬底结构包括:衬底、在所述衬底上的层间电介质层、贯穿所述层间电介质层的多个第一通孔以及填充所述多个第一通孔的第一金属层;在所述衬底结构上形成通孔结构层,所述通孔结构层包括双大马士革通孔结构,所述双大马士革通孔结构包括:在所述通孔结构层中的第二通孔和第三通孔,以及在所述第二通孔和所述第三通孔之上的开口;所述第二通孔露出所述多个第一通孔中的一个第一通孔中的第一金属层,所述第三通孔露出所述多个第一通孔中的另一个第一通孔中的第一金属层,所述开口露出所述第二通孔、所述第三通孔和所述通孔结构层的在所述第二通孔和所述第三通孔之间的部分;在所述第二通孔和所述第三通孔中填充第二金属层,所述第二金属层的上表面低于所述通孔结构层的在所述第二通孔和所述第三通孔之间的所述部分的上表面;刻蚀所述通孔结构层的在所述第二通孔和所述第三通孔之间的所述部分,使得所述部分的上表面低于所述第二金属层的上表面;以及在刻蚀所述通孔结构层的所述部分之后,在所述开口中形成连接所述第二金属层的第三金属层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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